Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application

Lazarenko, P. I.; Sherchenkov, A. A.; Kozyukhin, S. A.; Terekhov, D. Y.; Yakubov, A. O.; Babich, A. V.; Shuliatyev, A. S.; Sagunova, I. V.; Redichev, E. N.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Lazarenko P. I.
Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application / P. I. Lazarenko, A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, D. Y. Terekhov, A. O. Yakubov, A. V. Babich, A. S. Shuliatyev, I. V. Sagunova, E. N. Redichev // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03033-1-03033-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_35

Influence of the composition variation along the quasi-binary line GeTe - Sb₂Te₃ on the thermoelectric and electro-physical properties of thin films was investigated. GST amorphous thin films have high See-beck coefficients, which drops nearly on the order of magnitude after the crystallization. Temperature dependences of the resistivities were studied, and it was determined that crystallization temperature increases with moving along the quasi-binary line GeTe - Sb₂Te₃ from GeSb₄Te₇ to GeSb₂Te₄, and then to Ge₂Sb₂Te₂, while the phase transition temperature range decreases. Current-voltage characteristics of amorphous thin films haw three voltage ranges with different dependencies due to the different mechanisms of charge carrier transport.

Повний текст PDF - 648.488 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Lazarenko P. I. Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application / P. I. Lazarenko, A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, D. Y. Terekhov, A. O. Yakubov, A. V. Babich, A. S. Shuliatyev, I. V. Sagunova, E. N. Redichev // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03033-1-03033-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_35.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача