Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Bora N. 
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors / N. Bora, P. Das, R. Subadar // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02003-1-02003-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_5
An analytical surface potential based universal model for the dram current voltage characteristics of Symmetric Double Gate (DG) junctionless field effect transistors is presented. This novel universal model is valid for all operating regions from depletion to inversion regions of operations. The primary conduction mechanism is governed by the bulk current where the channel becomes fully depleted in turning it off. Thus model has been validated by using TCAD device simulating software. The comparison shows high accuracy of the proposed model.
  Повний текст PDF - 571.902 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bora N.
  • Das P.
  • Subadar R.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Bora N. An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors / N. Bora, P. Das, R. Subadar // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02003-1-02003-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_5.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського