Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor

Rogachev, I. A.; Knyazkov, A. V.; Meshkov, O. I.; Kurochka, A. S.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Rogachev I. A.
Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor / I. A. Rogachev, A. V. Knyazkov, O. I. Meshkov, A. S. Kurochka // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02044-1-02044-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_46

Reported about study of processes of formation of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to heterostructures AlGaN/GaN and gate Ni/Au. Investigated of process recess the semiconductor layer for minimum resistance of ohmic contact - <$E0,4~roman {Ohm~cdot~mm}>. Studied influence of encapsulation ohmic contacts on their surface morphology.

Повний текст PDF - 327.011 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Rogachev I. A. Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor / I. A. Rogachev, A. V. Knyazkov, O. I. Meshkov, A. S. Kurochka // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02044-1-02044-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_46.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача