Розглянуто взаємодію електронів з дефектами гратки, які характеризуються потенціалом лімітованого радіусу дії, в кристалах антимоніду та нітриду індію. Концентрація домішок в досліджених кристалах n-InSb складала (1 - 8) x 10 ¹⁴см ^-3, а в зразку n-InN ~ 6 x 10 ¹⁷ см ^-3. В межах аналітичного розв'язку стаціонарного кінетичного рівняння Больцмана, використовуючи принцип близькодії, встановлено температурні залежності рухливості електронів, фактора Холла та термоелектрорушійної сили в антимоніді індію в температурному діапазоні 8 - 700 К. Для кристалу нітриду-індію представлено залежності рухливості електронів та фактора Холла від температури в діапазоні 4,2 - 560 К.

  Повний текст PDF - 666.475 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"