Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Mukhtarov A. P. 
Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method / A. P. Mukhtarov, A. B. Normurodov, N. T. Sulaymonov, F. T. Umarova, Sh. Makhkamov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02009-1-02009-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_11
Structures of SinHm, clusters in neutral, positive and double positive charge states have been calculated by nonconventional tight-binding method and molecular dynamics. An influence of the charge state and the termination by hydrogen of dangling bonds on cluster structures those are obtained as a result of chemical vapor precipitation in silane, is considered for the first time. Fully hydrogenated clusters have tetrahedral branched structures. Other isomers have forms of closed circles.
  Повний текст PDF - 717.321 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Mukhtarov A.
  • Normurodov A.
  • Sulaymonov N.
  • Umarova F.
  • Makhkamov S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Mukhtarov A. P. Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method / A. P. Mukhtarov, A. B. Normurodov, N. T. Sulaymonov, F. T. Umarova, Sh. Makhkamov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02009-1-02009-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_11.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського