Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Goel N. 
Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad / N. Goel, M. K. Pandey // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01041-1-01041-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_43
  Повний текст PDF - 261.318 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Goel N.
  • Pandey M.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Goel N. Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad / N. Goel, M. K. Pandey // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01041-1-01041-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_43.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського