Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Ayed H. 
Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy / H. Ayed, L. Béchir, M. Benabdesslem, N. Benslim, L. Mahdjoubi, T. Mohammed-Brahim, A. Hafdallah, M. S. Aida // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01038-1-01038-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_40
In this work Schottky Au-polycrystalline silicon diodes are successfully realised. The barrier height is around ΦB = 0,71 eV as determined from Capacitance - Bias (C-V) characteristics. The depth profile of the apparent doping is deduced from these measurements. Its behaviour leads to the experimental profile. Moreover, the diode admittance measurements versus the frequency and the temperature at different biases show the possibility to use this device to characterise the electrical quality of the poh cn stalline silicon.
  Повний текст PDF - 253.354 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ayed H.
  • Béchir L.
  • Benabdesslem M.
  • Benslim N.
  • Mahdjoubi L.
  • Mohammed-Brahim T.
  • Hafdallah A.
  • Aida M.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Ayed H. Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy / H. Ayed, L. Béchir, M. Benabdesslem, N. Benslim, L. Mahdjoubi, T. Mohammed-Brahim, A. Hafdallah, M. S. Aida // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01038-1-01038-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_40.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського