Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Bhattacharya S. 
Temperature Dependent IR-Drop Analysis in Graphene Nanoribbon Based Power Interconnect / S. Bhattacharya, D. Das, H. Rahaman // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01001-1-01001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_3
The paper proposes a temperature dependent resistive model of graphene nanoribbon (GNR) based power interconnects. Using the proposed model, IR-drop analysis for IGnm technology node latest by ITRS is performed. For a temperature range from 150 K to 150 K, the variation of resistance of GNR interconnect is ~ 2 - 5 <$Etimes> times lesser than that of traditional copper based power interconnects. Our analysis shows that GNR based power interconnects can show ~ 2 - 3 times reduction in Peak IR-drop as compared with copper based interconnects for local, intermediate and global interconnects.
  Повний текст PDF - 956.666 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bhattacharya S.
  • Das D.
  • Rahaman H.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Bhattacharya S. Temperature Dependent IR-Drop Analysis in Graphene Nanoribbon Based Power Interconnect / S. Bhattacharya, D. Das, H. Rahaman // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01001-1-01001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_3.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського