| Наукова періодика України |
| Journal of Nano- and Electronic Physics |
Губа К. С. Температурні зміни енергетичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs в матриці GaAs / К. С. Губа, В. М. Юзевич // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04065-1-04065-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_67 Розвинуто теоретичну модель для розрахунку енергетичних характеристик поверхонь квантових точок (КТ) InAs в матриці GaAs у разі зміни температури їх самоорганізації. Описана теоретична модель надає змогу розраховувати поверхневі енергетичні та адгезійні парметри КТ InAs в матриці GaAs за зміни температури їх самоорганізації. Розраховані результати надають змогу досліджувати (аналізувати) характеристики міжфазних шарів на межах поділу КТ InAs/ЗШ In, ЗШ In/GaAs, КТ InAs/GaAs підкладка (ЗШ - змочуючий шар металу). Вони можуть бути використані для аналізу, тобто визначення загальних закономірностей зміни енергетичних параметрів КТ InAs в матриці GaAs(100). Крім того, вони корисні при моделюванні зміни енергетичних характеристик поверхневих шарів, які характеризують механізми взаємодії і релаксації пружних напружень і поверхневих енергій системи GaAs/In/InAs. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Губа К. С. Температурні зміни енергетичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs в матриці GaAs / К. С. Губа, В. М. Юзевич // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04065-1-04065-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_67.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
