Theoretical Analysis of Optical Gain in GaN / AlxGa1 – xN Quantum Well Lasers

Fellaoui, K.; Abouelaoualim, D.; Elkadadra, A. E.; Oueriagli, A.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Fellaoui K.
Theoretical Analysis of Optical Gain in GaN / AlxGa1 – xN Quantum Well Lasers / K. Fellaoui, D. Abouelaoualim, A. E. Elkadadra, A. Oueriagli // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04061-1-04061-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_63

In this study we investigated numerically the effect of aluminum concentration, temperature and well width on optical gain GaN/Al_xGa_1-xN quantum well lasers, taken into account effective mass approximation. The numerical results clearly show that the increasing of well width, and decreasing of temperature and aluminum concentration, the optical gain increases.

Повний текст PDF - 364.276 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Fellaoui K. Theoretical Analysis of Optical Gain in GaN / AlxGa1 – xN Quantum Well Lasers / K. Fellaoui, D. Abouelaoualim, A. E. Elkadadra, A. Oueriagli // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04061-1-04061-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_63.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача