The Spectral Sensitivity Characteristics Simulation of the Silicon p-i-n-structure with High Resistance Wells

Legotin, S. A.; Murashev, V. N.; Yurchuk, S. Yu.; Yaromskiy, V. P.; Astahov, V. P.; Kuz’mina, K. A.; Rabinovich, O. I.; El’nikov, D. S.; Osipov, U. V.; Krasnov, A. A., Didenko S. I.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Legotin S. A.
The Spectral Sensitivity Characteristics Simulation of the Silicon p-i-n-structure with High Resistance "Wells" / S. A. Legotin, V. N. Murashev, S. Yu. Yurchuk, V. P. Yaromskiy, V. P. Astahov, K. A. Kuz’mina, O. I. Rabinovich, D. S. El’nikov, U. V. Osipov, A. A., Didenko S. I. Krasnov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04017-1-04017-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_19

In the paper a simulation program for photovoltaic parameters of semiconductor devices and results of their investigation are presented. The results of the program usage based on an example of calculating the influence of the high-resistance "well" thickness in the silicon p - i - n-diode spectral response are discussed. For the accuracy of the program estimation it was compared the theoretical spectral characteristics of a silicon PIN-diode 5 kOhm substrate with the experimental data.

Повний текст PDF - 214.131 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Legotin S. A. The Spectral Sensitivity Characteristics Simulation of the Silicon p-i-n-structure with High Resistance "Wells" / S. A. Legotin, V. N. Murashev, S. Yu. Yurchuk, V. P. Yaromskiy, V. P. Astahov, K. A. Kuz’mina, O. I. Rabinovich, D. S. El’nikov, U. V. Osipov, A. A., Didenko S. I. Krasnov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04017-1-04017-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_19.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача