Досліджено розсіяння електронів в (<$EL sub 1 ~-~DELTA sub 1>) моделі зони провідності монокристалів n-Ge, утвореної одновісним тиском вздовж кристалографічного напрямку [100]. Одержані експериментальні результати та проведені теоретичні розрахунки температурних залежностей питомого опору для одновісно деформованих монокристалів n-Ge показують, що для діапазону одновісних тисків від 1,4 до 2,3 ГПа суттєвим стає нееквівалентне міждолинне розсіяння електронів між <$EL sub 1> та <$EDELTA sub 1> мінімумами, відносний вклад якого залежить від величини одновісного тиску. Наявність максимуму для залежностей сталої Холла від одновісного тиску за P ~ 2,1 ГПа, коли енергетична щілина між <$EL sub 1> та <$EDELTA sub 1> "захлопується", пояснюється найбільшою ефективність даного механізму розсіяння за таких тисків.

  Повний текст PDF - 390.378 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"