Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials

Tawseef, A. Bhat; Mustafa, M.; Beigh, M. R.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Tawseef A. Bhat
Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials / A. Bhat Tawseef, M. Mustafa, M. R. Beigh // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03010-1-03010-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_12

Повний текст PDF - 476.906 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Tawseef A.

Mustafa M.

Beigh M.

Бібліографічний опис для цитування:

Tawseef A. Bhat Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials / A. Bhat Tawseef, M. Mustafa, M. R. Beigh // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03010-1-03010-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_12.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача