Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Benhaliliba M. 
AC Impedance Analysis of the Al / ZnO / p-Si / Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters / M. Benhaliliba, Y. S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kilicoglu // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02001-1-02001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_3
In this research, we report on the measurement of the capacitance-voltage (C-V) characteristics Al/ZnO/p-Si/Al Schottky diode at room temperature and in dark condition fabricated by spray pyrolysis process. C-V characteristics, within the range of frequencies 50 kHz - 5 MHz, are investigated and microelectronic parameters are extracted. Donor density and diffusion potential vary with frequency from 15 to 28 1014 cm-3, 0,21 to 0,45 V. Besides, the interface state density of Al/ZnO/pSi/Al Schottky is determined and found to be 1012 (eV x cm2)-1. Calculated at 1 MHz, the interfacial layer thickness and depletion layer width are of 760 Å and 0,28 mu M.
  Повний текст PDF - 413.858 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Benhaliliba M.
  • Ocak Y.
  • Mokhtari H.
  • Kilicoglu T.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Benhaliliba M. AC Impedance Analysis of the Al / ZnO / p-Si / Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters / M. Benhaliliba, Y. S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kilicoglu // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02001-1-02001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_3.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського