Експериментально встановлено, що к.к.д. одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) із горизонтальною діодною n⁺ - p - p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 раза після їх обробки за кімнатної температури протягом 7-ми діб перпендикулярно орієнтованим стаціонарним магнітним полем (СМП) з індукцією 0,2 Тл. Це пояснюється зниженням числа рекомбінаційних центрів у базових кристалах ОП Si-ФЕП, на що вказує збільшення часу життя неосновних носіїв заряду у кремнії під впливом СМП. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, що створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією, не більшою 0,05 Тл.

  Повний текст PDF - 428.695 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"