Analysis of Voltage Transfer Charateristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration

Daniyel, Raj A.; Rajarajachozhan, C.; Sanjoy, Deb


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Daniyel Raj A.
Analysis of Voltage Transfer Charateristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration / Raj A. Daniyel, C. Rajarajachozhan, Deb Sanjoy // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01004-1-01004-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_6

Повний текст PDF - 233.529 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Daniyel R.

Rajarajachozhan C.

Sanjoy D.

Бібліографічний опис для цитування:

Daniyel Raj A. Analysis of Voltage Transfer Charateristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration / Raj A. Daniyel, C. Rajarajachozhan, Deb Sanjoy // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01004-1-01004-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_6.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача