Низькорозмірні структури GaN

Дяденчук, А. Ф.; Кідалов, В. В.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Дяденчук А. Ф.
Низькорозмірні структури GaN / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04043-1-04043-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_45

Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs, одержані за методом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з подальшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. Під час осадження на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфологію поверхні за допомогою методу скануючої електронної спектроскопії.

Повний текст PDF - 250.765 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Дяденчук А.

Кідалов В.

Бібліографічний опис для цитування:

Дяденчук А. Ф. Низькорозмірні структури GaN / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04043-1-04043-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_45.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача