Визначено оптичні та рекомбінаційні втрати в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS / p-CdTe та n-CdS / p-CdTe зі струмознімальними фронтальними контактами ITO та ZnO. Розраховано спектральні залежності коефіцієнта пропускання (Т) світла фотоперетворювачами у разі врахування його відбиття від меж контактуючих матеріалів та у випадку його поглинання в допоміжних шарах сонячних елементів. Досліджено вплив оптичних і рекомбінаційних втрат в сонячних елементах зі структурою ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на струм короткого замикання (Jкз) та ефективність (<$Eeta>) фотоперетворювачів за різної товщини віконних шарів CdS(ZnS) (50 - 300 нм) та постійної струмознімальних шарів (200 нм). Встановлено, що найбільші значення ефективності (15,9 - 16,1 %) мають сонячні елементи зі структурою ZnO / ZnS / CdTe за концентрації нескомпенсованих акцепторів в поглинаючому шарі <$EN sub a ~-~N sub d ~=~10 sup 15 ~-~10 sup 17> см<^>-3 та товщини віконного шару 50 нм.

  Повний текст PDF - 747.591 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"