У межах моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини розраховано температурні залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1-xAs / GaAs / AlxGa1-xAs різної товщини з різною концентрацією (x) бар'єрного матеріалу. Розрахунки виконано за допомогою методу функцій Гріна з використанням наближення ефективних мас для електронної системи та моделі діелектричного континууму - для фононної. Взято до уваги взаємодію з усіма гілками спектра оптичних фононів: обмежених у ямному матеріалі, напівобмежених - у бар'єрному й інтерфейсних. Показано, що зростання температури від 0 до 300 K може викликати збільшення величини довгохвильового зміщення дна основної мінізони електрона приблизно на 25 - 30 %, залежно від товщини наноплівки та концентрації x.

  Повний текст PDF - 360.711 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"