Проведено експериментальне дослідження та моделювання із використанням програми PC1D вихідних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію i-типу електропровідності. Встановлено, що використання базових кристалів i-типу електропровідності за умов опромінення АМ0 надає змогу одержувати рекордно високі значення густини фотоструму, котрі сягають 48,6 мА/см<^>2. Проте їх коефіцієнт корисної дії не перевищує 11,6 %. Для розробки фізично обгрунтованого підходу до оптимізації конструктивно-технологічних рішень проаналізовано електронну модель кремнієвого фотоелектричного перетворювача з p<^>+-i-n<^>+ структурою. В ході апробації моделі було одержано серію діаграм розподілу значень коефіцієнта корисної дії досліджуваних фотоелектричних перетворювачів з p<^>+-i-n<^>+ структурою залежно від значень послідовного і шунтувального опорів за густини діодного струму насичення 10<^>-7 А/см<^>2, 10<^>-8 А/см<^>2 та 10<^>-9 А/см<^>2. Наявність таких діаграм під час проведення розробки високоефективних фотоперетворювачів зазначеного типу надасть змогу не тільки суттєво зменшити витрати на пошукові дослідження, але й забезпечить досягнення необхідного у кожному конкретному випадку оптимального співвідношення між витратами на покращання діодної структури та підвищеним рівнем коефіцієнта корисної дії таких приладів.

  Повний текст PDF - 417.347 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"