Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Rabinovich O. I. 
Impurity Influence on Nitride LEDs / O. I. Rabinovich, S. A. Legotin, S. I. Didenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03002-1-03002-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_4
Light emitting diodes (LEDs) are widely used nowadays. They are used in major parts of our life. But it is still necessary to improve their characteristics. In this paper the impurity and Indium atoms influence on the LEDs characteristics is investigated by computer simulation. Simulation was carried out in Sim Windows. The program was improved for this purpose by creating new files for AlGaInN heterostructure and devices including more than 25 basic parameters. It was found that characteristics depend on impurity and indium atoms changes a lot. The optimum impurity concentration for doping barriers between quantum wells was achieved. By varying impurity and Indium concentration the distribution in AlGaInN heterostructure LEDs characteristics could be improved.
  Повний текст PDF - 170.567 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Rabinovich O.
  • Legotin S.
  • Didenko S.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Rabinovich O. I. Impurity Influence on Nitride LEDs / O. I. Rabinovich, S. A. Legotin, S. I. Didenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03002-1-03002-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_4.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського