Photosensitive AlGaAs / GaAs Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy

Bazalevsky, M. A.; Koltsov, G. I.; Didenko, S. I.; Yurchuk, S. Yu.; Legotin, S. A.; Rabinovich, O. I.; Murashev, V. N.; Kazakov, I. P.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Bazalevsky M. A.
Photosensitive AlGaAs / GaAs Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy / M. A. Bazalevsky, G. I. Koltsov, S. I. Didenko, S. Yu. Yurchuk, S. A. Legotin, O. I. Rabinovich, V. N. Murashev, I. P. Kazakov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03019-1-03019-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_21

Повний текст PDF - 487.202 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Bazalevsky M. A. Photosensitive AlGaAs / GaAs Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy / M. A. Bazalevsky, G. I. Koltsov, S. I. Didenko, S. Yu. Yurchuk, S. A. Legotin, O. I. Rabinovich, V. N. Murashev, I. P. Kazakov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03019-1-03019-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_21.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача