On the Applicability of HF and m-PCD Methods for Determination of Carrier Recombination Lifetime in the Non-passivated Single-crystal Silicon Samples

Anfimov, I. М.; Kobeleva, S. P.; Schemerov, I. V.; Orlova, M. N.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Anfimov I. М.
On the Applicability of HF and m-PCD Methods for Determination of Carrier Recombination Lifetime in the Non-passivated Single-crystal Silicon Samples / I. М. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Schemerov, M. N. Orlova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03018-1-03018-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_20

Comparison of the results of measuring the carrier recombination lifetime in silicon single crystals by contactless HF and microwave <$Emu>-PCD methods was carried out. It has been shown that HF method gives a large error compared with a <$Emu>-PCD method.

Повний текст PDF - 279.794 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Anfimov I. М. On the Applicability of HF and m-PCD Methods for Determination of Carrier Recombination Lifetime in the Non-passivated Single-crystal Silicon Samples / I. М. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Schemerov, M. N. Orlova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03018-1-03018-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_20.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача