Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Omer B. M. Simulation Study on the Open-Circuit Voltage of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells using AMPS-1D / B. M. Omer, F. A. Mohammed, A. Seed Ahmed Mahgoub // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 1. - С. 01006(4). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_1_8 AMPS-1D (Analysis of Microelectronic and Photonic Structure) simulation program was used to simulate Amorphous Silicon p-i-n Solar Cell. The simulated result of illuminated current density-voltage characteristics was in a good agreement with experimental values. The dependence of the open-circuit voltage on the characteristics of the a-Si:H intrinsic layer was investigated. The simulation result shows that the open-circuit voltage does not depend on the thickness of the intrinsic layer. The open-circuit voltage decreases when the front contact barrier height is small or the energy gap of the intrinsic layer is small. The open-circuit voltage increases when the distribution of the tail states is sharp or the capture cross sections of these states are small. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Omer B. M. Simulation Study on the Open-Circuit Voltage of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells using AMPS-1D / B. M. Omer, F. A. Mohammed, A. Seed Ahmed Mahgoub // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 1. - С. 01006(4). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_1_8. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |