Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Daoud S. Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide / S. Daoud, N. Bioud, L. Belagraa, N. Lebgaa // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 4(2). - С. 04061-1-04061-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_4%282%29__17 Elastic, mechanical, optoelectronic and some thermal properties of boron phosphide (BP) in its structure zincblende phase has been performed using the pseudopotential combined with the plane wave method. The plane-wave pseudopotential approach to the density-functional theory within the local density approximation (LDA) implemented in Abinit code is used. The elastic stiffness and compliance constants, bulk modulus, shear modulus, zener anisotropy factor, young's modulus, internal strain parameter, poisson's ratio, sound velocity for directions within the important crystallographic planes, Debye temperature, melting point, refractive index, plasmon energy, force constants, lattice energy, band gap energy, homopolar energy, heteropolar energy, ionicity and dielectric constant are obtained and analyzed in comparison with the available data. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Daoud S. Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide / S. Daoud, N. Bioud, L. Belagraa, N. Lebgaa // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 4(2). - С. 04061-1-04061-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_4(2)__17. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |