Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Solaimani M. 
Electronic and optical Properties of GaN / AlN Multiple Quantum Wells under Static External Magnetic Field / M. Solaimani, M. Izadifard // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(1). - С. 03023-1-03023-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3%281%29__25
In this work, we have investigated the effect of an external magnetic field and, for the first time, number of wells with constant total effective length to study the degeneracy in electronic energy levels. We have used constant total effective length because it is technologically important. Then we have tried to remove the n-fold degeneracy of the n-well multiple quantum well by means of the external magnetic field but the two-fold degeneracy was remain and not removed. Finally, the effect of the external magnetic field on the number of bound states and the situation of unchanging absorption coefficient in a wide magnetic field interval are also investigated.
  Повний текст PDF - 1.44 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Solaimani M.
  • Izadifard M.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Solaimani M. Electronic and optical Properties of GaN / AlN Multiple Quantum Wells under Static External Magnetic Field / M. Solaimani, M. Izadifard // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(1). - С. 03023-1-03023-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(1)__25.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського