Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Prasher R. 
Perfomance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials / R. Prasher, D. Dass, R. Vaid // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 1(2). - С. 01017-1-01017-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_1%282%29__4
  Повний текст PDF - 538.704 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Prasher R.
  • Dass D.
  • Vaid R.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Prasher R. Perfomance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials / R. Prasher, D. Dass, R. Vaid // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 1(2). - С. 01017-1-01017-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_1(2)__4.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського