Наукова періодика України Мікросистеми, Електроніка та Акустика


Bodilovska D. S. 
Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrincoated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and communications. - 2014. - Т. 19, № 5. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2014_19_5_3
Проанализированы распределения электрического потенциала в нелегированном полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода (ПТ с Si-НП) с конфигурацией нижнего затвора, покрытого органическим соединением - порфирином. Изучено одномерное распределение электростатического потенциала вдоль различных осей ПТ с Si-НП для последующих изучений характеристик переноса электронов.
  Повний текст PDF - 4.528 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bodilovska D.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrincoated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and communications. - 2014. - Т. 19, № 5. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2014_19_5_3.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського