Наукова періодика України | Мікросистеми, Електроніка та Акустика | ||
Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrincoated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and communications. - 2014. - Т. 19, № 5. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2014_19_5_3 Проанализированы распределения электрического потенциала в нелегированном полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода (ПТ с Si-НП) с конфигурацией нижнего затвора, покрытого органическим соединением - порфирином. Изучено одномерное распределение электростатического потенциала вдоль различных осей ПТ с Si-НП для последующих изучений характеристик переноса электронов. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrincoated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and communications. - 2014. - Т. 19, № 5. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2014_19_5_3. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |