Показано, что скалярные тепловое воздействие может вызвать пироэлектричество в пьезоэлектрических классах полярных кристаллов, и самое важное применение этого эффекта ожидается полупроводниках-пьезоэлектриках группы А<^>IIIВ<^>V. Искусственный пироэлектрический эффект определяется как механически индуцированная поляризация в частично зажатом пьезоэлектрике, подвергнутому равномерному нагреву. Частичное зажатие создается неоднородными граничными условиями, которые ограничивают тепловую деформацию пьезоэлектрического кристалла, обеспечивая создание в нем равномерного но не изотропного напряженного состояния. Ограничение планарной деформации в плоскости (111) пластины или мембраны из полуизолирующих кристаллов типа А<^>IIIВ<^>V открывает возможности разработки нового типа микроэлектронных датчиков. Они могут иметь преимущества по сравнению с гибридными датчиками типа "диэлектрик-полупроводник" и полупроводниковыми датчиками, которым необходимо охлаждение.

  Повний текст PDF - 233.649 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"