Датчик режима насыщения выходного n-p-n - транзистора

Мережный, П. Г.; Павлов, Л. Н.


	Наукова періодика України		Мікросистеми, Електроніка та Акустика

Мережный П. Г.
Датчик режима насыщения выходного n-p-n - транзистора / П. Г. Мережный, Л. Н. Павлов // Электроника и связь. - 2013. - № 3. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_3_3

Повний текст PDF - 227.764 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Мережный П.

Павлов Л.

Бібліографічний опис для цитування:

Мережный П. Г. Датчик режима насыщения выходного n-p-n - транзистора / П. Г. Мережный, Л. Н. Павлов // Электроника и связь. - 2013. - № 3. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_3_3.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача