Наукова періодика України Мікросистеми, Електроніка та Акустика

Белоголовский М. А. 
Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Электроника и связь. - 2013. - № 2. - С. 9-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_2_3
Показано, что электромиграция ионов кислорода под действием переменных электрических полей является основной причиной возникновения двузначной зависимости тока от напряжения в контактах металлического электрода со сложным оксидом переходных металлов. Этот эффект предлагается использовать для существенного расширения функциональных возможностей мемристора, нового базового элемента наноэлектроники.
  Повний текст PDF - 342.655 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Белоголовский М.
  • Ларкин С.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Электроника и связь. - 2013. - № 2. - С. 9-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_2_3.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського