Вторинна генерація електронів-втікачів - це процес, під час якого існуючі високоенергетичні втікаючі електрони вибивають теплові електрони плазми безпосередньо в область втікання в результаті близьких кулонівських зіткнень. Такі вибиті електрони миттєво прискорюються до ультрарелятивістських швидкостей, тому що в області втікання сила прискорення тороїдальним електричним полем значно перевищує силу тертя внаслідок кулонівських зіткнень із тепловими частинками плазми. Виникає лавина мегаелектронвольтних електронів-втікачів, потрапляння яких на конструкційні елементи сучасних великомасштабних токамаків і міжнародного споруджуваного токамака-реактора ІТЕР може призвести до катастрофічних наслідків. Внаслідок своєї актуальності, у теперішній час дане явище активно досліджується як теоретично, так і експериментально у провідних термоядерних центрах. Відомо, що за вторинної генерації у вибитих електронів величина перпендикулярної компоненти імпульсу по відношенню до магнітного поля токамака може значно перевищувати поздовжню компоненту: <$E p sub symbol <94>~ >> >>~p sub ||>. Таким чином, виникають умови захоплення вибитих електронів неоднорідним магнітним полем токамака (бананові орбіти). Захоплені електрони більше не можуть прискорюватися індукованим електричним полем до високих енергій, лавиноподібне утворення електронів-втікачів частково пригнічується. Виникає питання, як довго популяція вибитих і захоплених надтеплових електронів існує. Показано додаткову можливість для формування та існування довгоживучих бананових орбіт надтеплових електронів за умов МГД активності плазми, коли під час спалахів МГД нестійкості індукується сильне тороїдальне електричне поле, що призводить до різкого зростання кількості таких вибитих і захоплених електронів. Дане явище розглянуто для нещодавніх експериментів з електронами-втікачами на токамаці EAST (Інститут фізики плазми, Хефей, Академія наук Китаю) в квазістаціонарних розрядах із низькою щільністю плазми. Довгоживучі захоплені електрони (<$E p sub symbol <94>~ >> >>~p sub ||>) також впливають на інтенсивність ЕСЕ випромінювання. Розглянуте явище є важливим для правильної інтерпретації експериментів з електронами-втікачами на сучасних токамаках.Вторинна генерація електронів-втікачів - це процес, під час якого існуючі високоенергетичні втікаючі електрони вибивають теплові електрони плазми безпосередньо в область втікання в результаті близьких кулонівських зіткнень. Такі вибиті електрони миттєво прискорюються до ультрарелятивістських швидкостей, тому що в області втікання сила прискорення тороїдальним електричним полем значно перевищує силу тертя внаслідок кулонівських зіткнень із тепловими частинками плазми. Виникає лавина мегаелектронвольтних електронів-втікачів, потрапляння яких на конструкційні елементи сучасних великомасштабних токамаків і міжнародного споруджуваного токамака-реактора ІТЕР може призвести до катастрофічних наслідків. Внаслідок своєї актуальності, у теперішній час дане явище активно досліджується як теоретично, так і експериментально у провідних термоядерних центрах. Відомо, що за вторинної генерації у вибитих електронів величина перпендикулярної компоненти імпульсу по відношенню до магнітного поля токамака може значно перевищувати поздовжню компоненту: <$E p sub symbol <94>~ >> >>~p sub ||>. Таким чином, виникають умови захоплення вибитих електронів неоднорідним магнітним полем токамака (бананові орбіти). Захоплені електрони більше не можуть прискорюватися індукованим електричним полем до високих енергій, лавиноподібне утворення електронів-втікачів частково пригнічується. Виникає питання, як довго популяція вибитих і захоплених надтеплових електронів існує. Показано додаткову можливість для формування та існування довгоживучих бананових орбіт надтеплових електронів за умов МГД активності плазми, коли під час спалахів МГД нестійкості індукується сильне тороїдальне електричне поле, що призводить до різкого зростання кількості таких вибитих і захоплених електронів. Дане явище розглянуто для нещодавніх експериментів з електронами-втікачами на токамаці EAST (Інститут фізики плазми, Хефей, Академія наук Китаю) в квазістаціонарних розрядах із низькою щільністю плазми. Довгоживучі захоплені електрони (<$E p sub symbol <94>~ >> >>~p sub ||>) також впливають на інтенсивність ЕСЕ випромінювання. Розглянуте явище є важливим для правильної інтерпретації експериментів з електронами-втікачами на сучасних токамаках.

  Повний текст PDF - 864.662 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"