Наукова періодика України East European journal of physics


Ружицкий В. В. 
Развитие гелиевой пористости при отжиге имплантированной гелием стали Х18Н10Т / В. В. Ружицкий, С. А. Карпов, А. С. Кальченко, И. Е. Копанец, Б. С. Сунгуров, Г. Д. Толстолуцкая // East european journal of physics. - 2018. - No. 4. - С. 69-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2018_4_10
Кинетика процессов развития гелиевой пористости при отжиге нержавеющей стали Х18Н10Т, облученной ионами гелия с энергией 20 кэВ при комнатной температуре для одновременного создания смещающих повреждений на уровне 0,5 - 5 сна и концентрации гелия 1 - 12 ат.%, исследована с помощью методов электронной микроскопии и термодесорбционной спектрометрии. Определены температурные интервалы выхода гелия из стали и их зависимость от дозы облучения. Исследована эволюция микроструктуры стали Х18Н10Т в процессе постимплантационных отжигов в интервале температур от Tкомн до 1420 К. При дозе облучения <$E1~cdot~10 sup 20> м<^>-2 гелиевые пузырьки были обнаружены только после отжига до температуры 890 К, при дозе <$E1~cdot~10 sup 21> м<^>-2 пузырьки наблюдались сразу после облучения при Tкомн. В процессе отжига средний диаметр пузырьков изменяется от -1 нм при Tкомн до 10 - 20 нм при Tотж 1420 К. Рассмотрены механизмы роста пузырька либо путем миграции и коалесценции пузырьков, либо по механизму Оствальда - растворение и перезахват. Поскольку каждому из этих механизмов соответствует определенный тренд зависимости размеров и плотностей пузырьков от температуры отжига, построены и проанализированы температурные зависимости средних диаметров и плотностей гелиевых пузырьков для дозы <$E1~cdot~10 sup 21> м<^>-2. Экспериментальные данные характеризуются тремя температурными интервалами: 1 - от 300 до 760 К, 2 - от 760 до 1030 К и 3 - от 1030 до 1350 К с явно различающимися трендами. В низкотемпературной области диаметр и плотность пузырьков практически не меняется. При отжиге в области температур от 760 до 1030 К начинается рост их размеров и снижение плотности. Эта тенденция нарастает в области температур 1030 - 1420 К. Выполнена оценка энергии активации процессов, контролирующих механизм роста пузырьков в области температур 1000 - 1420 К. Получено значение -3,7 эВ, которое хорошо коррелирует с теоретически рассчитанной величиной энергии активации процесса диссоциации (<$Eroman {E sub He sup diss }>) по механизму Оствальда.
  Повний текст PDF - 1.432 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ружицкий В.
  • Карпов С.
  • Кальченко А.
  • Копанец И.
  • Сунгуров Б.
  • Толстолуцкая Г.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ружицкий В. В. Развитие гелиевой пористости при отжиге имплантированной гелием стали Х18Н10Т / В. В. Ружицкий, С. А. Карпов, А. С. Кальченко, И. Е. Копанец, Б. С. Сунгуров, Г. Д. Толстолуцкая // East european journal of physics. - 2018. - No. 4. - С. 69-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2018_4_10.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Сунгуров Богдан Сергійович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського