Наукова періодика України Доповіді Національної академії наук України

Потоцька В. В. 
Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В. В. Потоцька, О. І. Гічан, І. М. Скриптун, А. О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 1. - С. 34-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2018_1_8
Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Надано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти за різних значень товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму зміни поверхневої концентрації електроактивних частинок.
  Повний текст PDF - 155.545 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Потоцька В.
  • Гічан О.
  • Скриптун І.
  • Омельчук А.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Потоцька В. В. Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В. В. Потоцька, О. І. Гічан, І. М. Скриптун, А. О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 1. - С. 34-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2018_1_8.
    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Гічан Ольга Іванівна (фізико-математичні науки)
    •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського