Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si

Гайдар, Г. П.; Баранський, П. І.


	Наукова періодика України		Доповіді Національної академії наук України

Гайдар Г. П.
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2017_5_8

Повний текст PDF - 515.65 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Гайдар Г.

Баранський П.

Бібліографічний опис для цитування:

Гайдар Г. П. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2017_5_8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача