Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p−n-переходами на основе SiC

Стыров, В. В.; Симченко, С. В.

Изучена генерация хемоэдс в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p - n-переходы на основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар (ЭДП) в полупроводнике в экзотермических химических актах (адсорбция и рекомбинация атомов H + H, H + O, O + O) и последующего разделения компонентов ЭДП электрическим полем p - n-перехода. Лицевой p-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины (~ 30 нм). Хемоэдс в разомкнутой цепи достигала 3 мВ, а хемоток короткого замыкания - 320 нА.


	Наукова періодика України		Доповіді Національної академії наук України