Наукова періодика України | Доповіді Національної академії наук України | ||
Прохоров Э. Д. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_4_15 Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Прохоров Э. Д. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_4_15.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |