Наукова періодика України | Доповіді Національної академії наук України | ||
Плющай І. В. Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповiдi Національної академії наук України. - 2011. - № 9. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2011_9_16 Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект (ТД) - власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень і вуглець у міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено за допомогою методу linear muffin-tin orbital. Розглянуто зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Проаналізовано зарядовий стан ТД у монокристалах кремнію. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Плющай І. В. Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповiдi Національної академії наук України. - 2011. - № 9. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2011_9_16.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |