За допомогою методів монокристала та порошку визначено кристалічну структуру й уточнено склад шести багатих на галій фаз системи Y - Cu - Ga. Показано, що структури всіх цих фаз можна одержати з ромбічно деформованої підгратки типу BaAl4 кратним збільшенням її періодів (a і b) і частковим заміщенням пар атомів Cu/Ga на один атом Cu/Ga, який розташовується в базових сітках (Z = 0; 0,5,): 1 - Y1,02Cu1,35Ga2,63 (структура типу BaAl4, кратність <$E 1~times~1>), 2 - Y1,04Cu1,12Ga2,84 і 3 - Y1,0Cu1,0Ga3,0 (власний, <$E 3~times~3>), 4 - Y1,08Cu0,57Ga3,35 (<$E 9~times~9>), 5 - Y3,025Cu4Ga6,975 і 6 - Y3,23Cu3,07Ga7,70 (La3Al11, <$E 3~times~1>).