Исследованы закономерности высокотемпературного окисления композиционного материала системы TiB2 - 20 масс. % SiC и влияние плакирования никелем на его стойкость к высокотемпературному окислению. Установлено, что при температуре до 1000 <$E symbol Р>С окисление материала TiB2 - 20 масс. % SiC происходит в две стадии с образованием оксидов В2О3, SiO2, TiO2, которые формируют стекловидную пленку, препятствующую дальнейшему окислению. Показано, что плакирование никелем приводит к увеличению температуры начала интенсивного окисления композиционного материала на 122 <$E symbol Р>С и оплавлению порошка при повышенных температурах.

  Повний текст PDF - 1.862 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"