В рамках квантово-механической зонной электронной структуры полупроводников рассмотрена возможность определения параметров энергетической диаграммы полупроводникового катода донорного типа. Показано, что введение в математическое моделирование экспериментальной зависимости плотности тока насыщения электронной эмиссии от температуры катода js (T) позволяет определить такие параметры как внешняя часть работы выхода электрона <$E chi>, концентрация электронов на донорном уровне Nd и энергия залегания донорного уровня в запрещенной зоне полупроводника Ed. Для оценки значения эффективной массы электрона в зоне проводимости по предложенной методике проведена обработка температурной зависимости плотности тока эмиссии катода на основе BaO.

  Повний текст PDF - 359.094 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"