Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V_1-xTi_xFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti N_Ti^A = 9,5 x 10¹⁹ - 3,6 x 10²¹ см^-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V_1-xTi_xFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V_1-xTi_xFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.