Наукова періодика України | Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського | ||
Василець С. В. Удосконалення математичної моделі IGBT транзистора з урахуванням нелінійності ємностей переходів / С. В. Василець, К. С. Василець // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2018. - Вип. 1. - С. 9-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2018_1_3 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Василець С. В. Удосконалення математичної моделі IGBT транзистора з урахуванням нелінійності ємностей переходів / С. В. Василець, К. С. Василець // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2018. - Вип. 1. - С. 9-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2018_1_3.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |