Проведено дослідження впливу прямої полярності на вихідні параметри сонячних елементів (СЕ) ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. Експериментально зафіксовано вплив електричного поля (ЕП) прямої полярності на вихідні параметри і світлові діодні характеристики СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, у яких відбулася деградація ккд. У разі витримки затемненого СЕ не менше 120 хв в ЕП, наведеним зовнішньою постійною напругою величиною (0,5 - 0,9) В, спостерігається зростання ккд. Полярність ЕП повинна відповідати прямому зміщенню n - p гетеропереходу. Зростання ккд спостерігається лише у тому випадку, якщо у разі деградації приладової структури не встигли сформуватися дефекти, які за вказаний час витримки призводять до самовідновлювальних електричних мікропробоїв, що чередуються. Встановлено, що зростання ккд відбувається за рахунок збільшення густин фотоструму, зменшення послідовного та збільшення шунтувального опорів СЕ. Покращання діодних характеристик відбувається завдяки кільком фізичним процесам. У випадку подачі на СЕ напруги прямого зміщення, всередині діодної структури СЕ створюється ЕП, яке підсилює вбудоване ЕП тильного p - p<^>+ гетероперехода і пригнічує вбудоване електричне поле фронтального n<^>+ - p гетероперехода. Це відбувається внаслідок того, що діоди включені на зустріч один одному. Величина напруги прямого зміщення не повинна перевищувати висоту потенційного бар'єру гетеропереходу. У цьому випадку на тильному p - p<^>+ гетеропереході та у прилеглих до нього з обох сторін областях будуть інтенсифіковані процеси пов'язані з транспортом атомів міді. Крім того, спостерігається перебудова комплексів точкових дефектів, що містять мідь, та фазові перетвореннями Cu1,4Te в Cu2-xTe. Також під впливом поля, індукованого прямозміщувальною напругою, частки CuCd з області збіднення шару CdS почнуть рухатись у абсорбер. Це повинно знизити опір частини шару CdS і призвести до зменшення ширини області збідніння з боку абсорбера, тим самим, забезпечити зростання спектральної чутливості СЕ в коротко- та середньохвильовій областях сонячного спектра. Електродифузія додаткової кількості CuCd- в абсорбер повинна посилювати вищеописаний і пов'язаний із цим ефект підвищення спектральної чутливості, а значить і Jф приладів. На підставі проведених досліджень розроблено алгоритм відновлення ефективності СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au і відбраковування деградованих приладових структур в складі працюючого модуля, що працює.

  Повний текст PDF - 710.352 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"