Розроблено методику отримання інформації про розподіл параметрів кристалічної структури по товщині приповерхневого іонно-імплантованого шару, типи та характеристики радіаційних дефектів (розмір, концентрацію та ін.). Встановлено вплив основних дифракційних параметрів на криві дифракційного відбивання, що надало можливість розробити алгоритм наближення експериментальних кривих дифракційного відбивання теоретично обчисленими. Показано, що за невеликих доз імплантації на інтенсивність кривих дифракційного відбивання величина коефіцієнта екстинкції <$E mu sub ds> найбільше впливає за межами додаткової осциляційної структури, а величина статичного фактора Дебая - Валлера E - у межах останніх осциляцій додаткової осциляційної структури, які відповідають максимальній деформації. У цьому випадку для характеристики дефектної системи необхідно аналізувати дифузну складову, використовуючи частину кривої дифракційного відбивання, яка розміщена за додатковою осциляційною структурою і в якій вклад когерентної складової є мінімальним. Методику апробовано у ході аналізу імплантованих іонами бору плівок залізо-ітрієвого гранату. Наведений підхід надає можливість отримати велику кількість інформації про структуру іонно-імплантованого шару, оскільки використовує статистичну динамічну теорію розсіяння рентгенівських променів, яка враховує наявність дефектів кристалічної структури будь-яких типів і розмірів. Також даний підхід надає можливість використовувати всю інформацію, яку несуть в собі криві дифракційного відбивання, та оцінити ступінь однозначності визначених параметрів.

  Повний текст PDF - 1.217 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"