Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Vambol, S.; Bogdanov, I.; Vambol, V.; Suchikova, Y.; Lopatina, H.; Tsybuliak, N.


	Наукова періодика України		Eastern-European journal of enterprise technologies

Vambol S.
Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide / S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, H. Lopatina, N. Tsybuliak // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 6(5). - С. 22-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_6%285%29__5

Проведено вдосконалення способу формування поруватого арсеніду галію у розчині соляної кислоти. Досліджено основні закономірності формування поруватих просторів. Показано, що морфологічні властивості por-GaAs залежать від умов травлення. Досліджено вплив щільності струму, часу травлення та складу електроліту на поверхневу поруватість, товщину поруватого шару та діаметр пор.

Повний текст PDF - 1.994 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Vambol S. Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide / S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, H. Lopatina, N. Tsybuliak // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 6(5). - С. 22-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_6(5)__5.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Вамболь Віола Владиславівна (технічні науки)

Сичікова Яна Олександрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача