Наукова періодика України | Eastern-European journal of enterprise technologies | ||
Vambol S. Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors / S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, O. Kondratenko, O. Hurenko, S. Onishchenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 3(5). - С. 37-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_3%285%29__7 Розроблено схему керування процесом формування поруватих шарів на поверхні напівпровідників за допомогою методу електрохімічного травлення. Показано, що побудована схема може бути застосована для різних випадків синтезу наноструктурованих напівпровідників. Досліджено процеси, що лежать в основі пороутворення і визначають морфологічні властивості наноструктур. Досліджено відносне падіння потенціалу в шарі Гельмгольца. Виділено основні морфологічні критерії якості поруватих наноструктур для застосування їх у сонячних батареях. З урахуванням цих критеріїв одержано поруваті простори на поверхні напівпровідників А3В5. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vambol S. Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors / S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, O. Kondratenko, O. Hurenko, S. Onishchenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 3(5). - С. 37-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_3(5)__7.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |