Наукова періодика України | Eastern-European journal of enterprise technologies | ||
Новосядлий С. П. Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко, Л. В. Мельник, С. В. Новосядлий // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 6(5). - С. 32-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2015_6%285%29__7 Розроблено технологію виготовлення іонно-легованих структур GaAs. Імплантацію іонів кремнію, берилію, цинку проведено в підкладку із напівізолювального арсеніду галію марки АГЧП-2а. Імплантація домішки через капсулювальне покриття надало можливість одержати досить високі значення рухливості носіїв струму в каналах польового транзистора Шотткі, що надає можливість формувати на них КМОН-структури. Застосування багатозарядної імплантації та імпульсного фотонного відпалу для активації n⁺-областей витоку і стоку забезпечило рівень ретроградного легування стік-витокових контактів на рівні (2 - 5)x10¹⁸см⁻³. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Новосядлий С. П. Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко, Л. В. Мельник, С. В. Новосядлий // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 6(5). - С. 32-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2015_6(5)__7.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |