Досліджено вплив ступеня розширення кристалічної гратки шаруватих напівпровідників InSe і GaSe на їхні властивості і поведінку у постійному магнітному полі та за освітлення. Встановлено, що зміни кристалографічних параметрів як і параметрів енергетичного спектра дефектів, що визначають їх кінетичні та поляризаційні властивості за кімнатних температур, не є монотонними функціями ступеня розширення. З'ясовано, що такий характер мають і зміни відгуку на магнітне поле та поле світлової хвилі. Як приклад, розглянуто зміни структури і фізичних властивостей клатратів InSe для дво- та чотирикратного розширення, синтезованих за різних умов.

  Повний текст PDF - 1.268 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"