Наукова періодика України Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

Новосядлий С. П. 
Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Комп’ютерні системи та мережі. - 2014. - № 806. - С. 199-207. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPKSM_2014_806_32
Зазначено, що серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію.
  Повний текст PDF - 1.091 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Новосядлий С.
  • Мельник Л.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Новосядлий С. П. Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Комп’ютерні системи та мережі. - 2014. - № 806. - С. 199-207. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPKSM_2014_806_32.
    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)
    •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського